SK하이닉스, 차세대 AI 메모리 'HBM4E' 12단 샘플 공급

주요 고객사 대상 공급…핀당 최대 16Gbps 구현

전력효율 20% 이상 개선·열저항 17% 낮춰

12단 적층 기준 48GB 용량 구현

SK하이닉스 HBM4EⓒSK하이닉스

SK하이닉스가 차세대 인공지능(AI)용 초고성능 D램인 'HBM4E' 12단 샘플을 주요 고객사에 공급했다고 18일 밝혔다.

HBM4E는 이전 세대인 HBM4 대비 성능과 전력 효율을 개선한 제품이다. 이번 샘플은 핀당 최대 16Gbps의 데이터 처리 속도를 구현했으며, 에너지 효율은 20% 이상 개선됐다. SK하이닉스는 AI 학습과 추론에 필요한 데이터 처리 성능을 높이고, 차세대 AI 데이터센터와 대규모 컴퓨팅 시스템의 효율 향상에 기여할 것으로 기대하고 있다.

제품에는 최신 인터페이스와 설계 최적화 기술이 적용됐다. 이를 통해 데이터 전송 지연을 줄이고 고대역폭 환경에서도 안정적인 동작이 가능하도록 했다.

SK하이닉스는 HBM4E에 어드밴스드 MR-MUF 공정을 적용해 12단 적층 기준 48GB 용량을 구현했다. MR-MUF는 반도체 칩을 쌓은 뒤 칩 사이 공간에 액체 형태의 보호재를 주입하고 굳히는 공정이다. 회사는 이를 통해 구조 안정성을 높이고, 열 저항을 HBM4 대비 약 17% 낮췄다고 설명했다.

SK하이닉스는 HBM3, HBM3E, HBM4로 이어지는 양산·공급 경험을 바탕으로 HBM4E에서도 고객 요구에 맞춘 메모리 솔루션을 적기에 제공한다는 계획이다. 핵심 고객사들과 협업해 양산 준비에도 속도를 낼 방침이다.

안현 SK하이닉스 개발총괄 사장은 "그동안 쌓아온 업계 최고의 기술 경쟁력과 양산 역량을 HBM4E 제품에서도 이어가 AI 혁신을 지속적으로 리드해 갈 수 있는 기반을 마련했다"며 "파트너들과 협력을 바탕으로 시장이 요구하는 가치를 선제적으로 구현해 풀 스택 AI 메모리 크리에이터로서의 기술 리더십을 공고히 하겠다"고 말했다.