SK하이닉스, HBM 넘어 HBF 띄운다…AI 메모리 '계층화' 승부

HBM·HBF·SSD·CXL 아우르는 '계층형 메모리' 강조

375단 4D 낸드·차세대 서버 메모리 등 AI 포트폴리오 공개

FMS 2026 내 SK하이닉스 전시 부스 전경ⓒsk하이닉스

SK하이닉스가 글로벌 메모리·스토리지 행사 ‘FMS 2026’에서 HBM부터 낸드, SSD, CXL까지 아우르는 차세대 인공지능(AI) 메모리 기술을 선보였다.

SK하이닉스는 지난 4일부터 6일(현지시간)까지 미국 캘리포니아 산타클라라에서 열린 'Future of Memory and Storage 2026(FMS 2026)'에 참가해 고성능 AI 메모리와 최신 서버용 메모리 제품을 전시하고 CXL 기반 메모리 확장 기술을 시연했다고 7일 밝혔다.

회사는 이번 행사에서 AI 워크로드가 학습에서 대규모 추론과 에이전틱 AI로 확대되면서 개별 메모리 제품의 성능뿐 아니라 여러 종류의 메모리를 효율적으로 연결하는 '계층형 메모리(Tiered Memory)'의 중요성이 커지고 있다고 강조했다.

김천성 SK하이닉스 솔루션개발 부문장은 "HBM, DRAM, NAND(HBF), SSD 등 각 메모리 계층을 어떤 위치에 배치하고 어떻게 연결해 데이터 이동을 최소화하느냐가 전체 효율을 좌우하게 될 것"이라고 말했다.

차세대 낸드 솔루션인 HBF(High Bandwidth Flash)의 개발 방향도 제시했다. HBF는 HBM에 적용되는 TSV 기술을 활용해 낸드의 대용량 특성과 높은 데이터 전송 속도를 결합한 제품이다. SK하이닉스는 구글, 샌디스크 등과 패널 토론을 진행하며 HBF가 HBM과 SSD 사이의 새로운 메모리 계층으로 자리 잡을 가능성을 제시했다.

전시 부스에서는 HBM4와 HBM4E, HBM3E를 비롯해 서버용 D램과 eSSD 등을 공개했다. 엔비디아의 차세대 AI 가속기 '베라 루빈'과 HBM4 모형도 함께 전시하며 AI 생태계 내 협력 관계를 강조했다.

최신 낸드 제품인 '375단 4D 낸드'도 선보였다. 웨이퍼 본딩을 적용한 첫 낸드 제품으로 이전 세대보다 전력 대비 성능을 2.5배 높였다. SK하이닉스는 이를 기반으로 한 고성능 eSSD를 내년 상반기부터 양산할 계획이다.

이와 함께 CXL 기반 풀드 메모리와 D램·SSD를 결합한 'CMM-Hybrid' 등을 활용해 AI 에이전트가 사용하는 대규모 데이터를 효율적으로 저장·처리하는 기술도 시연했다.

SK하이닉스는 "이번 FMS 2026을 통해 차세대 AI 메모리 아키텍처의 방향성을 제시하고 HBM부터 서버 D램, 낸드, CXL에 이르기까지 AI 인프라 전 계층을 아우르는 기술 역량을 알렸다. 고객과 파트너들이 필요로 하는 최적의 AI 메모리 솔루션을 선제적으로 개발해 나가겠다"고 밝혔다.