中 CXMT, D램 점유율 10% 진입…5세대 양산으로 원가 격차 좁히나

웨이퍼당 칩 생산량 50% 이상 확대…공정 미세화로 생산 효율 개선

삼성·SK와 제조원가 격차 축소 주목…수율 안정화가 관건

중국 안후이성 허페이의 창신메모리(CXMT) 본사 건물 앞에 기업 표지판이 세워져 있다. ⓒ AFP/연합뉴스

중국 메모리 업체 창신메모리테크놀로지(CXMT)가 글로벌 D램 시장에서 점유율을 10% 가까이 끌어올린 데 이어 차세대 공정 양산에 돌입했다. 웨이퍼 한 장에서 생산할 수 있는 칩 수를 기존보다 50% 이상 늘려 제조원가를 낮출 수 있는 기반을 마련한 것이다. 삼성전자와 SK하이닉스가 고부가 메모리 시장에 역량을 집중하는 사이, CXMT가 공정 미세화를 앞세워 범용 D램 시장에서 원가 경쟁력을 얼마나 확보할 수 있을지 주목된다.

21일 업계에 따르면 CXMT는 전날 중국 안후이성 허페이에서 열린 세계제조업대회에서 5세대(G5) D램 기술 플랫폼의 양산 진입을 공식 발표했다. 이번 발표에서 눈여겨볼 부분은 공정 미세화에 따른 생산 효율 개선이다. CXMT는 4중 패터닝 기술을 적용해 메모리 셀의 활성영역 반간격을 11.95나노미터(㎚)까지 줄였다고 설명했다. 공정과 소재 개선으로 메모리 집적도를 높이면서 웨이퍼 한 장에서 생산할 수 있는 칩 수를 이전 세대보다 50% 이상 늘렸다는 것이다.

이는 CXMT가 생산량 확대와 함께 제조원가를 낮출 수 있는 기반을 확보했다는 의미로 해석된다. 반도체 제조원가는 생산시설과 장비에 투입되는 비용뿐 아니라 웨이퍼 한 장에서 얼마나 많은 양품을 확보하느냐에 따라 달라진다. 동일한 웨이퍼에서 생산할 수 있는 칩 수가 늘어나면 개별 칩에 배분되는 제조비용을 줄일 여지가 커진다.

다만 웨이퍼당 칩 생산량이 50% 늘었다고 해서 실제 제조원가가 같은 비율로 낮아지는 것은 아니다. 미세공정 전환 과정에서 추가되는 공정 비용과 장비 투자비, 양품 비율을 나타내는 수율 등이 원가를 좌우하기 때문이다. CXMT는 이번 발표에서 웨이퍼당 칩 생산량 증가율을 공개했지만, G5 공정의 구체적인 수율이나 칩당 제조원가는 밝히지 않았다.

CXMT의 원가 경쟁력 개선 여부에 관심이 쏠리는 것은 글로벌 D램 시장에서 중국 업체의 존재감이 빠르게 커지고 있기 때문이다. 시장조사업체 카운터포인트리서치에 따르면 CXMT의 올해 2분기 글로벌 D램 매출 점유율은 10%로, 전년 동기 4%에서 1년 만에 6%포인트 상승했다. 같은 기간 삼성전자는 38%, SK하이닉스는 25%를 기록했다. CXMT는 처음으로 두 자릿수 점유율에 진입하며 기존 메모리 강자들을 추격하고 있다.

CXMT는 이번 G5 플랫폼을 적용한 24기가비트(Gb) LPDDR5X 신제품 2종도 공개했다. 기존 동급 제품보다 용량을 50% 늘린 제품으로, 스마트폰과 휴대용 전자기기 등에 탑재된다. 두 제품 모두 현재 양산 단계에 진입한 상태다.

삼성전자와 SK하이닉스가 고대역폭메모리(HBM) 등 고부가 제품에 대한 투자를 확대하는 가운데, CXMT의 공정 전환이 범용 D램 시장의 경쟁 구도에 어떤 영향을 미칠지도 관심사다. CXMT는 범용 D램을 중심으로 생산능력을 확대하며 점유율을 높여왔다. 여기에 차세대 공정 양산을 통한 생산 효율 개선까지 더해지면서 향후 가격 경쟁력을 강화할 가능성이 있다.

향후 CXMT가 G5 공정의 수율을 안정적으로 끌어올리고 생산 규모를 확대할 경우, 범용 D램뿐 아니라 모바일 D램에서도 가격 경쟁력을 강화할 가능성이 있다. 다만 이번 공정 미세화 성과가 삼성전자와 SK하이닉스에 대한 실질적인 제조원가 우위로 이어질지는 추가 검증이 지속적으로 필요하다는 것이 업계 관측이다. 생산 효율 개선이 실제 원가 절감으로 연결되는 수준과 고객사 공급 확대 여부가 향후 경쟁력을 가늠할 핵심 변수가 될 전망이다.