DB하이텍, 8인치 1200V SiC 공정 신뢰성 검증 완료…2027년 양산

세계 최초 8인치 SiC 파운드리 일괄공정 구축

3세대 PDK 11월 출시…고객 개발기간 1년 이상 단축

올해 3분기 우선 출시…내년 2분기 모든 고객에 제공

DB하이텍 부천캠퍼스 전경. ⓒDB하이텍

DB하이텍이 8인치 SiC(실리콘카바이드) 파운드리 시장 선점에 나선다. 세계 최초로 8인치 SiC 파운드리 일괄공정을 구축한 데 이어 2027년 양산을 추진한다.

DB하이텍은 8인치 웨이퍼 기반 1200V SiC 전계효과트랜지스터(MOSFET) 공정의 신뢰성 검증을 완료했다고 9일 밝혔다.

SiC는 기존 실리콘(Si)보다 고온·고전압 환경에서 우수한 특성을 갖는 차세대 전력반도체 소재다. 전기차와 신재생에너지, 산업용 전력기기 등에 활용된다. 현재 SiC 시장은 6인치 웨이퍼가 주류지만 생산효율과 원가경쟁력을 높이기 위해 글로벌 업체들이 8인치 전환을 추진하고 있다.

DB하이텍은 고전력 MOSFET에 최적화된 SiC 공정 기술을 고도화해 전기적 특성과 신뢰성을 확보했다. 특히 세계 최초로 8인치 1200V SiC 파운드리 일괄공정을 구축해 설계부터 제조, 특성평가와 신뢰성 검증까지 지원할 수 있는 서비스를 갖췄다.

고객 지원을 위한 공정설계키트(PDK)도 제공한다. 현재 1·2세대 1200V SiC MOSFET PDK를 고객에게 제공하고 있으며 11월에는 3세대 PDK를 추가 출시할 예정이다. 회사 측은 이를 활용하면 초기 개발 부담을 줄이고 프로토타입 제작을 앞당겨 제품 개발기간을 1년 이상 단축할 수 있을 것으로 기대하고 있다.

DB하이텍은 올해 3분기 다년간 협업해온 파운드리 고객을 대상으로 우선 출시와 공정 준비를 완료하고 2027년 2분기부터 모든 고객에게 서비스를 제공할 계획이다.

DB하이텍 관계자는 "이번 1200V SiC MOSFET 공정 신뢰성 검증 완료는 세계 최초로 8인치 SiC 파운드리 서비스를 위한 핵심 공정 기술과 양산 기반을 확보했다는 데 의미가 있다"며 "2027년 8인치 SiC 양산을 차질 없이 준비해 시장을 선점하고 차세대 전력반도체 파운드리 시장에서 경쟁력을 지속 확대해 나갈 것"이라고 말했다.