[컨콜] 삼성전자 "3나노 2세대, 2024년 양산"
입력 2023.01.31 11:22
수정 2023.01.31 11:22
삼성전자는 31일 2022년 4분기 실적컨퍼런스콜을 통해 "당사가 팹을 중국에 안정적으로 운영하기까지 오랜 시간이 소요됐다. 매우 신중한 검토가 필요하다. 당사는 중장기 시장 및 글로벌 거래선 수요, 경제성 ,수익성 등 다방면 검토 통해 고객 대응하겠다는 기준으로 미래 준비에 노력하고 있다. 미국 테일러시 메모리 생산은 단기적으로는 파운드리 중심으로 계획 수립돼있어 지금 시점에서 명확한 답변 어렵다. 국내외 망라 신규 거점 확보하는 것에서 다양한 기준, 가능성 고려해 결정하겠다"고 밝혔다.
이어 "3나노 2세대 공정은 2024년 예정대로 양산하겠다. 수주와 관련해 다수의 모바일, HPC 고객들이 관심 보이고 있다. 그 점에 관해서는 당사 GAA 기술인 MBC(멀티 브릿지 채널) 팹에 대해 설명했다.성능이 좋고 전력소모 적고 설계 유연성을 주는 장점이 있다. 고객 관심 높고 당사는 세계 최초로 3나노 1세대 공정에서 MBC 팹을 적용했다. 당사는 현재 1세대 공정 안정적 수율로 양산하고 있다. 그리고 2세대 공정은 1세대 대비 면적, 성능, 전력 효율이 개선됐다. 1세대 양산 경험을 바탕으로 빠르게 개발하고 있다"고 말했다.
삼성전자는 "미국 테일러 팹은 당초 계획한대로 2024년 하반기 4나노 양산할 계획이다"라고 덧붙였다.