DB하이텍, '일렉트로니카 인디아 2026' 첫 참가…인도 시장 공략

'일렉트로니카 인디아 2026' 첫 참가해 인도 시장 공략

전력반도체·특화 공정 기술 선보여 현지 팹리스 고객 발굴

SiC·GaN 등 차세대 전력반도체 개발·양산 로드맵 공개

DB하이텍 부천캠퍼스 전경. ⓒDB하이텍

DB하이텍이 인도 전력반도체 시장 공략에 나선다. 전력반도체와 특화 공정 기술을 앞세워 빠르게 성장하는 현지 팹리스 시장에서 신규 고객 확보에 나선다는 전략이다.

DB하이텍은 내달 16일부터 18일까지 인도 벵갈루루에서 열리는 '일렉트로니카 인디아 2026'에 참가한다고 20일 밝혔다.

일렉트로니카 인디아는 '인도의 실리콘밸리'로 불리는 벵갈루루에서 열리는 남아시아 대표 전자산업 전시회다. 전자부품과 시스템, 애플리케이션 및 관련 솔루션 등을 다룬다.

DB하이텍은 이번 전시회에서 주력 공정인 양극성·상보형 금속산화물 반도체·이중확산 금속산화물 반도체(BCD)를 비롯해 차세대 전력반도체인 실리콘카바이드(SiC)와 질화갈륨(GaN) 등 주요 공정 기술과 개발 현황을 소개한다. 현지 팹리스 기업을 중심으로 신규 고객 발굴에도 나선다.

인도는 정부의 적극적인 반도체 산업 육성 정책과 투자를 바탕으로 반도체 생태계를 확대하고 있다. 특히 반도체 설계 서비스를 중심으로 성장해 온 현지 기업들이 자체 반도체 제품 개발로 사업 영역을 넓히면서 파운드리 수요도 증가할 것으로 전망된다.

DB하이텍은 이런 시장 변화에 맞춰 현지 팹리스와 사업 협력을 강화하고 있다. 이번 전시회를 계기로 잠재 고객과의 접점을 확대한다는 계획이다.

전시회에서는 DB하이텍이 경쟁력을 확보한 전력반도체 공정 기술을 중점적으로 선보인다. 대표 공정인 BCD는 누적 웨이퍼 출하량 900만장을 기록했으며 축적된 양산 경험과 공정 경쟁력을 기반으로 자동차·산업 등 고부가가치 응용 분야를 확대하고 있다.

차세대 전력반도체 분야에서는 SiC와 GaN 공정 개발 현황과 양산 로드맵을 소개한다. DB하이텍은 최근 1200V SiC 금속산화물 반도체 전계효과 트랜지스터(MOSFET) 공정 검증을 완료했으며 650V GaN 공정은 올해 12월까지 검증을 완료할 계획이다. 현재 전략 고객을 대상으로 해당 공정을 활용한 제품의 성능 평가도 진행하고 있다.

이와 함께 엑스레이(X-ray), 글로벌 셔터(Global Shutter), 단일광자 애벌랜치 다이오드(SPAD) 등 특화 이미지센서(CIS)와 혼합신호·무선주파수(Mixed-Signal/RF) 등 다양한 특화 공정 기술도 소개하며 현지 고객 기반을 확대할 예정이다.

DB하이텍 관계자는 "인도는 현지 팹리스와 반도체 생태계가 빠르게 성장하며 새로운 사업 기회가 확대되고 있는 시장"이라며 "이번 일렉트로니카 인디아 참가를 통해 현지 고객과의 접점을 넓히고 전력반도체 및 특화 공정 경쟁력을 기반으로 신규 사업 기회를 지속 발굴해 나갈 것"이라고 말했다.