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[특징주] 삼성전자, 3나노 양산 계획에 '강세'

황인욱 기자 (devenir@dailian.co.kr)
입력 2021.10.07 09:10
수정 2021.10.07 09:10

전거래일比 0.70%↑

최시영 삼성전자 파운드리사업부장(사장)이 6일(미국 현지시간) 온라인으로 개최된 '삼성 파운드리 포럼 2021' 기조연설을 하고 있다. ⓒ삼성전자

삼성전자가 내년 3나노 공정 도입을 밝히며 장 초반 강세다.


7일 삼성전자는 유가증권시장에서 9시5분 현재 전거래일 대비 0.70%(500원) 오른 7만1800원에 거래되고 있다.


삼성전자는 6일(미국 현지시간) 온라인으로 개최된 '삼성 파운드리 포럼 2021'에서 내년 상반기 3나노 공정에 도입을 골자로 한 파운드리(Foundry·반도체 위탁생산) 미세 공정 로드맵을 발표했다.


삼성전자는 내년 상반기 GAA 기술을 3나노에 도입하고 2023년에는 3나노 2세대, 2025년에는 GAA 기반 2나노 공정 양산 계획을 밝히며 차세대 트랜지스터 기술 선점에 대한 자신감을 나타냈다.


특히 독자적인 GAA 기술인 MBCFET™(Multi Bridge Channel FET) 구조를 적용한 3나노 공정은 핀펫 기반 5나노 공정 대비 성능은 30% 향상되며 전력소모는 50%, 면적은 35% 감소될 것으로 예상했다. 3나노 공정의 경우 안정적인 생산 수율을 확보하며 양산을 위한 준비가 이뤄지고 있다고 설명했다.

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황인욱 기자 (devenir@dailian.co.kr)
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