삼성전자, 지난해 시설투자 48조2천억...반도체 43조6천억

삼성전자가 지난해 시설투자로 48조원이 넘는 금액을 투입해 전년대비 약 10조원 가량 늘어난 것으로 나타났다.

삼성전자는 27일 자료를 통해 지난해 시설투자 규모는 48조2000억원이라고 밝혔다. 이는 전년도인 2020년(38조5000억원)에 비해 9조7000억원이 증가한 것이다.

사업별로는 반도체가 43조6000억원으로 대부분을 차지한 가운데 디스플레이 2조6000억원 수준이다.

메모리반도체는 극자외선(EUV) 기반 15나노 D램, V6 낸드 등 첨단공정 수요 대응을 위한 평택·중국 시안 증설과 공정 전환, 평택 P3 라인 인프라 투자 등을 중심으로 시설투자가 진행됐다. EUV를 포함한 차세대 기술 적용을 선제적으로 확대함에 따라 메모리 투자가 전년 대비 증가했다.

또 파운드리(반도체 위탁생산)는 평택 EUV 5나노 첨단공정 증설 등을 중심으로 투자가 진행됐고 디스플레이는 중소형 모듈과 QD 디스플레이에 중점을 두고 투자가 이뤄졌다.