삼성전자, 올해 시설투자 46조2천억....'사상최대'
입력 2017.10.31 09:01
수정 2017.10.31 09:30
반도체 29.5조, DP 14.1조
이는 역대 최대규모로 지난해 시설투자 규모는 25조5000억원이었다.
사업별로는 반도체 사업에서 V낸드 수요 증가 대응을 위한 평택 라인 증설, D램 공정 전환, 파운드리 증설 투자 등에 29조500억원을 투입하며, 디스플레이 사업에서는 플렉서블 OLED 패널 생산설비 확대 등을 위해 14조1000억원을 투자할 계획이라고 설명했다.
이 중 3분기 시설투자는 총 10조4000억원이며 반도체에 7조2000억원, 디스플레이에 2조7000억원이 투자됐다. 3분기 누계로는 32조9000억원이 집행됐다.
메모리의 경우, V낸드 수요 증가 대응을 위한 평택 1라인 증설과 D램 공정전환을 위한 투자가 진행되고 있으며, 파운드리는 10나노 공정 생산라인 증설에 투자되고 있다. 디스플레이의 경우는 플렉서블 OLED 패널 고객 수요에 대응하기 위한 생산라인 증설 투자가 진행중이다.
4분기 투자는 상당 부분이 반도체 사업에 투자될 예정이며, 주로 신규부지 조성과 클린룸 공사 등 인프라 구축에 쓰일 전망이다.