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삼성전자, 지난해 시설투자 53조1천억...반도체 47조9천억

조인영 기자 (ciy8100@dailian.co.kr)
입력 2023.01.31 08:56 수정 2023.01.31 09:08

전년대비 4조9천억 늘어…메모리·파운드리 고른 투자

삼성전자 평택캠퍼스 전경. ⓒ삼성전자

삼성전자가 지난해 시설투자로 53조원이 넘는 금액을 투입해 전년대비 약 5조원 가량 늘어난 것으로 나타났다.


삼성전자는 31일 지난해 시설투자 규모가 53조1000억원이라고 밝혔다. 이는 전년도인 2022년(48조2000억원)에 비해 4조9000억원 증가한 것이다.


사업별로는 반도체(DS)가 47조9000억원으로 대부분을 차지했으며, 디스플레이는 2조5000억원 수준이다.


메모리반도체는 평택 3, 4기 인프라와 미래 경쟁력 강화를 위한 극자외선(EUV) 등 첨단 기술 적용 확대, 차세대 연구 개발 인프라 확보를 위한 투자를 중심으로 이뤄졌다.


파운드리(반도체 위탁생산)는 평택 첨단 공정 생산 능력 확대와 미래 수요 대응을 위한 3나노 초기 생산 능력과 미국 테일러 공장 인프라 구축에 투자를 집중했다.


디스플레이(SDC)는 중소형 플렉시블 생산 능력 확대와 인프라 투자에 집중했다.


당초 삼성전자는 지난해 초 시설투자 예상 금액을 54조원으로 설정하고 반도체에 47조7000억원을, 디스플레이에 3조원을 투입하겠다고 했다.


실제 지난해 투입한 시설투자 금액은 반도체 47조9000억원, 디스플레이 2조5000억원으로 연초 계획 보다 9000억원 줄었다. 반도체는 2000억원 늘었으나 디스플레이가 5000억원 감소했다.

조인영 기자 (ciy8100@dailian.co.kr)
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