'경제안보' 핵심은 반도체…삼성 초격차 전략에 주목

조 바이든 미국 대통령이 방한 첫 일정으로 삼성전자 평택캠퍼스를 방문하는 등 ‘경제안보’를 염두한 행보를 보이면서 삼성의 ‘초격차’ 전략이 다시금 주목받고 있다. 반도체 패권 다툼이 장기화됨에 따라 업계를 선도하고 있는 삼성전자의 중요성이 대두되고 있기 때문이다.

대만 TSMC와 미국 인텔 등 각국을 대표하는 기업들이 시스템반도체 역량 강화에 열을 올리고 있는 만큼 향후 삼성전자의 보폭도 한층 넓어질 전망이다.

20일 업계에 따르면 바이든 대통령이 방한 첫날 삼성전자 평택캠퍼스에 방문하는 것은 반도체를 비롯한 공급망 경쟁에 대비하기 위한 행보로 풀이된다. 반도체 분야에서 초격차 전략을 펼치고 있는 삼성전자의 핵심 거점에서 ‘경제안보’를 직접 챙기겠다는 의지가 반영됐다는 분석이다.

삼성전자 평택캠퍼스는 이재용 삼성전자 부회장의 '시스템반도체 비전 2030'을 상징하는 핵심 사업장이다. 메모리 반도체는 물론 시스템반도체까지 아우르는 삼성전자 반도체 ‘초격차 전략’의 첨병 역할을 하고 있다.

삼성의 초격차 전략은 최근 격화되고 있는 글로벌 반도체 경쟁 타파에 초점이 맞춰져 있다. 중국 정부의 ‘반도체 굴기’에 맞서 미국과 유럽연합(EU)도 자국 반도체 산업 육성을 위한 대규모 투자를 계획하면서 전례 없는 글로벌 반도체 업계의 패권 경쟁이 펼쳐지고 있기 때문이다.

이는 삼성전자가 초미세공정 경쟁력 유지를 위해 공격적 투자에 나서는 이유기도 하다. 현재 5나노미터(㎚, 10억분의 1m) 미만의 초미세공정은 삼성전자와 TSMC만이 구현에 성공한 상태다.

실제 이날 행사에서도 이 부회장이 직접 나서 세계 최초 3나노 공정의 차세대 반도체를 선보이면서 기술력을 뽐낼 예정이다. 이 자리에는한종희 디바이스경험(DX) 사업부문장(부회장), 경계현 디바이스솔루션(DS) 부문장(사장) 등 삼성전자 임원들도 총출동한다.

삼성전자는 초미세공정 경쟁력을 지속하기 위해 핵심 장비인 극자외선(EUV) 노광을 공격적으로 들이고 있다.

EUV 기술은 반도체 웨이퍼 원판에 빛을 쪼여 회로 패턴을 그리는 포토(노광)공정에서 활용되는데 극자외선 파장의 광원을 사용한다. 기존 액침불화아르곤(ArF)의 광원보다 파장의 길이가 짧아(10분의 1 미만) 반도체에 미세 회로 패턴을 구현하는데 유리하고 성능과 생산성도 높일 수 있다는 장점이 있다.

이 때문에 EUV 노광장비는 반도체 선폭이 7나노미터(nm,1nm는10억분의1m) 이하의 선단(첨단) 공정 가동을 위해서는 반드시 필요한 장비다. 대당 가격이 1500억원이 넘지만 미세공정 구현을 위해 수요는 여전히 높다.

특히 완공을 앞두고 있는 경기 평택 3캠퍼스(P3)에서도 EUV 장비를 반입해 7세대 적층(V) 낸드플래시와 함께 10나노급 D램 생산에 나설 것으로 알려져 기대감을 높이고 있다. 업계에서는 P3 라인에 최소 30조원에서 최대 50조원이 투자될 것으로 보고 있다.

업계 관계자는 “막대한 투자가 동반되는 반도체 산업 특성 상 한 번 경쟁력을 잃으면 재기가 쉽지 않다”며 “이러한 점을 감안했을 때 공격적 투자는 사실상 삼성전자의 생존 전략”이라고 설명했다.

이어 “다만 TSMC와 인텔의 천문학적 투자액과 비교했을 때 삼성전자의 투자는 열세일 수밖에 없다”며 “이는 정부가 정책적 지원을 통해 보완해줄 필요가 있다”고 덧붙였다.